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　　近日，中國電科11所焦平面技術攻關團隊成功研制硅基碲鎘汞p-on-n型紅外短波探測器芯片。

　　“硅基碲鎘汞紅外探測器典型工作溫度為液氮溫度77開爾文（-196攝氏度），這種低溫工作環境極大限制了它們的體積、質量、功耗、成本的控制，從而限制了紅外探測器的應用。”技術專家表示，11所焦平面技術攻關團隊持續攻堅材料及器件關鍵技術，制備的新型紅外短波探測器芯片在77開爾文溫度下性能良好。在150開爾文（-123攝氏度）溫度下同樣性能良好。

　　該項技術突破解決了制約短波大面陣技術發展的難題，為高性能硅基碲鎘汞探測器技術發展奠定了基礎。后續，技術攻關團隊將持續創新突破，進一步提升探測器芯片性能，早日實現更高性能紅外探測器芯片的研制。